界面新闻记者 | 宋佳楠
6月29日，韩国产业通商资源部长金正官表示，韩国将投入800万亿韩元（约合3.52万亿元人民币）在西南光州、全罗区域落地四座存储芯片晶圆制造厂，打造继首都圈之后全国第二大半导体产业集群，其中三星电子、SK海力士共同拿出81万亿韩元布局忠清道先进封装基地，专门承接AI高带宽存储（HBM）扩产配套需求。
元股证券:ygzq.hk这800万亿韩元主要投向光州前道晶圆制造环节，由三星、SK海力士各承建两座晶圆厂，缓解韩国当下首都圈龙仁、平泽厂区电力、工业用水资源饱和、无法持续扩容的瓶颈。81万亿韩元专项划拨忠清道，建设规模化先进封装集群，匹配HBM堆叠生产需求；另有配套30万亿韩元专项资金，未来15年覆盖芯片研发、设计、测试全链条扶持。
本次半导体产业投资规划，是韩国政府推出的“三大超级国家级项目”核心内容之一。该规划推动三星电子、SK海力士两大芯片龙头及多家企业，分别布局半导体产业、实体人工智能、人工智能数据中心三大赛道的大规模投资。
据金正官介绍，政府将为企业投资提速，把新建晶圆厂的落地建设周期大幅提前最长12年：原计划2040年代中后期竣工投产，现调整至2030年代中期完成。
同日，三星正式宣布投资计划，总额达2655万亿韩元（约合11.68万亿元人民币），将在韩国龙仁市和平泽市的半导体产业集群投资2030万亿韩元。
三星电子会长李在镕表示，当前产能已不足以满足市场需求，公司正考虑在韩国光州建设新的投资基地；同时计划在龟尾推进机器人投资、在仁川布局生物医药投资，并考虑在蔚山投资电池业务、在釜山投资半导体基板业务。
而SK集团会长崔泰源则表示，该公司计划新增1100万亿韩元（约合4.84万亿元人民币）投资，用于新建多处半导体产业集群，其中400万亿韩元将投至韩国西南部地区。
据崔泰源透露，集团计划到2035年建成15吉瓦（GW）AI数据中心容量，并将其打造为韩国国家级基础设施和“实体AI（Physical AI）时代”的核心底座。崔泰源称，该计划总投资规模将达到1000万亿韩元。
两家存储巨头敢于同步砸出史无前例的资本开支，底层支撑是此前创纪录的财务成绩单。
SK海力士2026年一季度财报显示，单季营收达52.58万亿韩元，同比增长198%，营业利润37.61万亿韩元，同比增幅超400%，营业利润率突破72%。该公司手握全球55%以上HBM市场份额，英伟达新一代GPU七成HBM订单由其供应，充沛经营性现金流为扩产提供了资金保障。
三星电子一季度同样实现营收、利润大幅上行，DRAM、NAND基础存储业务维持全球双第一位置，叠加HBM4批量供货头部云厂商，企业自有资金储备充足。
值得注意的是，SK海力士已于6月24日向美国SEC提交上市申请，计划在纳斯达克上市，股票代码为“SKHY”。 美银证券、花旗集团、高盛和摩根大通为其首次公开募股（IPO）的承销商。
炒股配资排名有消息称，SK海力士计划以每股166美元的价格在纳斯达克全球精选市场发行存托凭证（ADR），筹集约294亿美元。机构分析师认为，美国投资者以这一价格购买股票实际上是捡到了便宜，预计其股价有望上涨20%，并缩小与竞争对手美光科技的估值差距。
而在6月25日，投资银行杰富瑞研究主管Jeff Kim表示，三星电子很可能会效仿SK海力士，在美股市场发行ADR。他指出，此举将对韩国芯片制造商的股价形成有力支撑，目前这些企业的估值普遍滞后于美光科技。Kim认为，当前芯片板块正处于一个关键的“转折点”，而赴美发行ADR将成为改善韩国半导体企业估值的重要催化剂。
回顾韩国半导体产业发展历史，上一轮巨额逆周期资本投入还要追溯至2008年的全球金融危机。彼时全球芯片需求大幅下滑，美光、尔必达等海外厂商关停产线、削减研发预算，三星逆势投入200亿美元扩建存储工厂，同步启动3D NAND底层技术研发，依靠周期底部扩产抢占市场份额。2015年存储价格再次进入下行周期，SK海力士逆势提升25%研发投入，提前布局初代HBM技术。而本次800万亿韩元国家级规划，从投资体量、覆盖产业链完整度来看，超过以往任何一轮周期扩张。
金正官预计，未来五年全球存储芯片市场规模将增长至目前的四倍。花旗集团在一份研究报告中表示，韩国政府主导的大规模投资应能推动该国半导体供应链的增长，其中包括芯片设备行业。该行表示，得益于“AI需求前景看好以及绿地产能扩张计划的加速推进”，其对韩国芯片制造设备类股持乐观态度。
但也有分析指出，AI专用存储芯片所需产能规模是传统消费级存储的三至四倍，当前全球HBM供给持续紧缺，三星、SK海力士提前锁定长期客户订单，大规模扩产短期不存在严重过剩风险，但十年超长周期内仍需警惕行业周期性波动带来的价格下行压力。
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